La course à la vitesse n'est pas près de s'arrêter : Micron envisage des puces mémoires d'une rapidité folle.
La course folle que se livrent les Sud-Coréennes SK Hynix/Samsung et l'Américaine Micron ne semble pas devoir connaître de limite. Aujourd'hui, c'est la troisième qui est au cœur de l'actualité.
En effet, une feuille de route interne à Micron a été diffusée par le site Tom's Hardware et l'on y découvre de nombreuses informations sur les améliorations à venir au sein de l'entreprise spécialisée dans tous les types de mémoires.
L'HBM4E arrive pour l'IA en 2028
Ainsi, alors que la firme américaine a tout récemment introduit ses toutes nouvelles barrettes de 128 Go de DDR5-8000 RDIMM, l'innovation semble avoir encore de belles années devant elle.
Bien sûr, des nouveautés qui ne se retrouveront pas toujours sur nos petits PC et les barrettes de 128 Go que nous venons de mentionner sont d'ailleurs bien davantage prévues pour le marché des serveurs. Il en ira sans doute de même pour toutes ces technologies de DDR5-12800, d'HBM4E, de CXL 2.0 ou de LPCAMM2 que l'on aperçoit sur la feuille de route.
En premier lieu, Micron envisage ainsi de doper la bande passante des futurs modules de mémoire qu'elle va dessiner/produire. Dès le début de l'année prochaine, on parle de puces HBM3E avec une bande passante de plus de 1,2 To/s avec, en ligne de mire, les applications liées à l'intelligence artificielle.
La GDDR7 jusqu'à 32 GT/s
L'HBM3E n'est toutefois qu'une étape, qu'une évolution d'une technologie déjà éprouvée. Courant 2025, on devrait ainsi retrouver des stacks de 36 Go de HBME3 dits « 12-Hi ». Ces derniers sont par exemple prévus pour les GPU NVIDIA H100 lesquels pourraient alors compter sur 216 Go de HBM3E.
Cela dit, la vraie nouveauté en matière de mémoires HBM, c'est l'HBM4 qui devrait arriver chez Micron en 2026. On parle ici d'interface 2048-bit et de bande passante supérieure à 1,5 To/s par stack. Micron parle déjà de stacks en 12-Hi et 16-Hi pour des capacités de 36 Go et 48 Go. Mieux, l'HBM4E devrait rapidement suivre – dès 2028 – avec 2 To/s pour des stacks dont la capacité est entre 48 et 64 Go.
Évoluant de la sorte, l'HBM restera la mémoire de choix pour tout ce qui touche aux applications les plus gourmandes en bande passante, avec en tête de liste tout ce qui a trait à l'intelligence artificielle. Pour des travaux plus « raisonnables », la GDDR7 sera privilégiée et, fin-2024, nous devrions voir la GDDR7 de Micron.
LPDDR5X 8533/9600 MT/s en basse consommation
Les concurrents SK Hynix et Samsung sont évidemment eux aussi sur le pied de guerre, mais chez Micron, la GDDR7 proposera des capacités de 16 à 24 Gb par module avec des transferts de l'ordre de 32 GT/s.
Comme à chaque génération, la GDDR7 devrait ensuite évoluer et Micron évoque déjà des transferts de 36 GT/s avec des capacités plus importantes que le 24 Gb autour de la fin-2026 : on parle ici de 32 Gb voire 48 Gb. Les gains en capacités devraient aussi concerner la DDR5 plus « classique », les barrettes de 128 Go évoquées en début d'article n'étant justement qu'un début, on parle déjà de barrettes de 256 Go en MCR DIMM avec des débits de 8800 MT/s pour 2025. Puis, en 2026/2027, ces mêmes capacités de 256 Go atteindraient les 12 800 MT/s.
Par ailleurs, la question de la consommation n'a pas fini de se poser et Micron entend répondre avec des modules prévus pour les segments « basse consommation ». Ainsi, sur la feuille de route Micron on peut noter l'arrivée de LPDDR5X en 8533 MT/s et même 9600 MT/s. La première serait attendue en 16 à 128 Go pour 2025, tandis que la seconde (192 Go et plus) arriverait en milieu d'année 2026.
Source : Tom's Hardware, VideoCardz
