L'affirmation du potentiel du graphène pour remplacer le silicium n'est pas nouvelle : nous vous en parlions en 2007 déjà, alors que la découverte par des chercheurs de l'Université de Manchester remonte à 2004. Le problème, c'est que personne n'était jusqu'ici parvenu à maîtriser sa production à grande échelle, tandis que les progrès réguliers réalisés sur la conception de transistors en silicium rendait cette quête moins nécessaire. Il semblerait aujourd'hui que Samsung ait trouvé la clé. Le SAIT (Samsung Advanced Institue of Technology) a travaillé sur le processus de fabrication, en partenariat avec l'Université de Science et d'Ingénierie des Matériaux Avancés de Sungkyungkwan. La nouvelle méthode permettrait de transformer des grandes surfaces de graphène en un mono-cristal sur un semi-conducteur, à l'échelle actuelle des wafers.
Molécules de graphène, un cristal monoplan de carbone
Le mono-cristal, par rapport à la technique multi-cristal utilisée jusqu'alors, a l'avantage de préserver toutes les propriétés du matériau. A savoir un milieu offrant une mobilité des électrons 100 fois supérieure au silicium, une meilleure durabilité que l'acier, une grande conductibilité de la chaleur et surtout, de la flexibilité. En somme, un matériau idéal pour les écrans flexibles, le wearable computing en général et les générations futures d'appareils électroniques. Mais aussi bien sûr des processeurs ! Les porte-paroles sont confiants : "Nous pensons que cette découverte va accélérer la commercialisation du graphène, ce qui pourrait ouvrir de nouvelles perspectives pour les prochaines générations de technologies d'électronique grand public". Les recherches ont été financées par le MSIP, le Ministère des Sciences, TIC and des Développements d'Avenir de Corée du Sud.
