Crucial, filiale grand public du spécialiste de la mémoire américain Micron, joue la carte de la modestie lors de son passage au Computex, avec une nouvelle gamme de barrettes mémoire DDR3 Ballistix Sports, qui présente toutefois l'originalité d'être déclinée au format SO-DIMM (à destination des ordinateurs portables).
L'Hybrid Memory Cube Consortium, composé de grands noms comme Intel, Micron, IBM, Samsung ou Microsoft, a finalisé les spécifications 1.0 de la mémoire HMC. Au programme, un débit de 320 Go/s.
C'est sans tambours ni trompettes que Corsair vient de compléter son offre en matière de mémoire DDR3. Le fabricant établit en effet un nouveau record et commercialise des barrettes Vengeance Extreme en DDR3 à 3000 MHz !
AMD propose au téléchargement un utilitaire de type RamDisk, personnalisé à ses couleurs mais édité par Dataram, permettant d'utiliser une partie de la mémoire vive de sa machine comme un disque de stockage.
Toshiba a annoncé hier qu'à compter de ce jour il avait réduit d'environ 30% sa production de mémoire flash NAND. C'est la première fois qu'il ralentit sa production depuis le mois de janvier 2009. Le fabricant japonais compte ainsi mettre un terme au déséquilibre entre offre et demande, qui dure depuis de longs mois.
La DDR4 a fait un pas de plus vers sa concrétisation avec l'annonce hier par Samsung des premiers échantillons fonctionnels de telles barrettes pour serveurs.
Corsair profite de l'arrivée d'Ivy Bridge pour étendre sa gamme de modules de mémoire vive en annonçant les Dominator Platinum. Plusieurs kits dont les fréquences peuvent atteindre 2 800 MHz.
La société Micron serait en passe de racheter l'activité du japonais Elpida. Selon plusieurs informations, le groupe pourrait proposer jusqu'à 2,5 milliards de dollars.
La firme japonaise annonce qu'elle vient de se déclarer en faillite. Elpida Memory se place sous la protection de ce statut et ne sera donc pas sommée de régler ses dettes à ses créanciers.
Ces derniers temps, le coréen Hynix était un peu à la traine en terme de développements technologiques pour la fabrication de ses puces de NAND Flash. Mais le voilà près à revenir dans la bagarre avec un tout nouveau procédé de gravure en 1x nm.
AMD a finalement annoncé hier au moyen d'un communiqué de presse le lancement aux États-Unis d'une gamme de mémoire vive DDR3 à ses couleurs, près de cinq mois après sa première apparition en boutique au Japon. L'occasion de lever quelques uns des mystères qui entouraient encore cette annonce.
C'est aujourd'hui au tour du fabricant japonais Elpida d'annoncer l'entrée en fonction d'une chaîne de production exploitant un nouveau procédé de fabrication de mémoire vive, au lendemain d'une annonce similaire de son concurrent Samsung.
Samsung a procédé hier à deux annonces étroitement liées et marquantes sur le marché de la mémoire, avec d'une part l'entrée en opération de sa nouvelle usine Line-16, et d'autre part le coup d'envoi de la production de masse de mémoire en vingtaine de nanomètre.
Lors de son keynote Justin Rattner, Chief Technology Officer d'Intel, présentait un nouveau type de mémoire. Si le titre de cette brève vous a fait penser aux Apéricubes d'une certaine fromagerie, le sujet est bien plus sérieux en vérité.
En plus de CPU, son cœur de métier historique, et de GPU, depuis le rachat d'ATI il y a cinq ans, AMD commercialise désormais... de la mémoire vive DDR3 ! C'est ce qu'a repéré ce week-end un confrère japonais, en boutique mais aussi de manière on ne peut plus officielle sur le site Internet de la firme de Sunnyvale, bien qu'il n'ait jusqu'à présent pas communiqué à ce sujet.
Corsair remet le couvert avec de la DDR3 capable de fonctionner à 2133 MHz tout en se contentant d'une tension de 1,5V, mais sur un kit de 8 Go cette fois (2x4 Go), distribué, en série limitée, par l'intermédiaire de son site Web.
Aux joueurs qui souhaitent augmenter significativement la quantité de mémoire de leur système sans avoir à bloquer plus de deux emplacements sur leur carte mère, A-Data destine son nouveau module « XPG Gaming Series DDR3L 1333G », dont chaque barrette offre une capacité de 8 Go.
Pour IBM, la mémoire à changement de phase et ses performances bien supérieures à celles de l'actuelle Flash pourraient devenir une réalité dans l'univers des serveurs. Big Blue vient en effet d'annoncer avoir réussi à mettre au point un nouveau procédé de fabricant permettant d'aboutir à des cellules capables de stocker deux bits d'information, et assure que l'entrée en production devrait se faire d'ici 2016.
Samsung démarrera finalement cet été la commercialisation de mémoire vive DDR3 adoptant un procédé de fabrication de l'ordre de 30 nm (30nm-class), un peu plus de deux ans après la production de premiers échantillons.
Toshiba et SanDisk viennent d'annoncer la production prochaine d'un module de Flash NAND MLC gravé en 19 nm, moins d'une semaine après une annonce similaire du duo Intel et Micron qui annonçait de son côté un module similaire gravé en 20 nm.
Le CeBIT de Hanovre aura permis de confirmer l'annonce formulée début janvier par OCZ : l'américain, acteur historique du marché de la mémoire vive, a bel et bien mis fin à ses activités en la matière pour se concentrer sur de nouveaux secteurs jugés plus lucratifs.
A-Data accompagne à sa façon le lancement des derniers processeurs Sandy Bridge d'Intel en annonçant l'arrivée de deux nouveaux kits de mémoire DDR3 destinés aux amateurs de jeu et de performance.
OCZ, qui présentait pourtant ses derniers modules mémoire haut de gamme à l'occasion du salon CES, a annoncé lors de la présentation de ses résultats financiers qu'il se désengagerait prochainement du marché de la DRAM pour mieux se concentrer sur le segment des SSD.
IBM vient de dévoiler de nouvelles avancées sur sa technologie Racetrack. Elle doit permettre de meilleures vitesses de transfert pour la mémoire, avec une efficacité énergétique et des capacités de stockage améliorées. C'est ce qu'a révélé le magazine américain Science daté du 24 décembre.
Samsung vient de remporter une bataille juridique contre Spansion. Ce dernier avait attaqué le géant et d'autres entreprises devant l'International Trade Commission (ITC, l'autorité de régulation du commerce international aux Etats-Unis), estimant qu'ils violaient deux de ses brevets sur la mémoire flash.
Corsair vient d'annoncer l'arrivée prochaine d'un nouveau kit de barrettes mémoire DDR3 dans sa gamme Dominator GT : le CMT4GX3M2B2133C9, dont les 4 Go (2 x 2 Go) affichent une fréquence de fonctionnement de 2133 MHz. La spécificité de ce kit ne tient toutefois pas tant à cette fréquence, déjà proposée chez Corsair comme chez ses concurrents, qu'à la tension électrique requise pour l'atteindre : ici, 1,5 Volt, là où la plupart des produits 2133 MHz demandent un minimum de 1,65V. Les latences de ce kit sont fixées à 9-11-9-27. Corsair annonce une arrivée imminente sur le marché, et parle d'un prix public de 170 dollars US, associé à une garantie à vie. Reste à voir quelle marge cette tension de 1,5V offrira aux amateurs de montée en fréquence.
Dévoilée fin novembre sur le Web, la gamme de mémoire DDR3 Vengeance de l'américain Corsair est désormais officiellement lancée. Au programme, sept kits comprenant deux, trois ou quatre barrettes de mémoire, avec des capacités variant de 4 à 16 Go pour les configurations dual channel, contre 6 et 12 Go pour les cartes mères triple channel. Tous proposent une fréquence de fonctionnement de 1600 MHz, à l'exception d'un des kits 8 Go, cadencé à 1866 MHz.
Toshiba a aujourd'hui annoncé qu'il avait démarré la production de masse de mémoire NAND flash reposant sur un procédé avancé de fabrication en 24 nm. Le fabricant nippon devance ainsi la joint venture regroupant Intel et Micron, IM Flash Technologies, qui ne fabriquera de la mémoire en 25 nm qu'en fin d'année. À titre de comparaison, la mémoire aujourd'hui sur le marché est dans la trentaine de nanomètres.
