Si les 850 Evo, 850 Pro et 950 Pro sont tous dotés des NAND 3D, le 750 Evo marque une rupture avec cette politique. Et alors qu'on ne pensait plus revoir de puces mémoire « 2D » chez Samsung, voici que ce nouveau SSD en propose à nouveau.
Pourquoi ce revirement ? La NAND 3D offre une densité de données très importante et implique, en théorie, un coût de production moins élevé. Mais il faut ajouter à ce coût ceux de recherche et développement, et ceux de la mise en place de la chaîne de production.
Samsung a sans doute estimé que sa TLC en 16 nm serait plus rentable sur un produit destiné au plus grand nombre que sa technologie 3D. Voilà probablement pourquoi le 750 Evo se contente de puces planaires.
Il faut dire que le contrôleur MGX utilisé par Samsung dans son 850 Evo est tout aussi capable de gérer les NAND 2D que la V-NAND. Conséquence : les performances entre les deux SSD sont relativement proches, avec une lecture et une écriture séquentielles à respectivement 540 et 520 Mo/s, 94 000 à 97 000 IOPS en lecture, 88 000 en écriture. Des débits atteints, pour rappel, grâce à la technologie de cache de Samsung, appelée le Turbo Write, et qui dépend fortement de la quantité de mémoire allouée à celle-ci (et dont Samsung ne dit rien ici).
En revanche, la V-NAND dispose d'un avantage certain face à la mémoire planaire en termes d'endurance. Le 750 Evo est ainsi garanti 3 ans ou 70 To d'écriture (pour la version 512 Go, 35 To pour la version 256 Go), contre 5 ans ou 70 TBW pour le 850 Evo.
Les prix devraient logiquement être revus à la baisse par rapport au 850 Evo, afin de permettre à Samsung d'aller jouer sur le terrain de jeu préféré de Crucial ou SanDisk. Samsung n'a pour le moment pas communiqué à ce sujet.
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