L'arrivée de la DDR5 a bien bousculé le marché, mais NEO Semiconductor veut aller beaucoup plus loin.
Tout récemment, plusieurs fabricants de mémoire ont mis sur le marché des barrettes 48 Go. Une capacité intéressante qui pourrait toutefois être très rapidement dépassée par l'innovation signée NEO Semiconductor.
Passer la DRAM à la 3e dimension
Fondée en 2012 et basée à San Jose, California, NEO Semiconductor a déjà déposé un brevet à propos de cette 3D X-DRAM en août 2021 avec un objectif aussi ambitieux qu'il est clair, comme l'explique encore aujourd'hui la société :
« La première DRAM 3D de type NAND au monde vise à réduire le goulot d'étranglement que représente la capacité de la DRAM et à remplacer l'ensemble du marché de la DRAM 2D ; facilite la fabrication et la mise à l'échelle de la mémoire avec des densités et des capacités plus élevées. »
Pour y parvenir, NEO Semiconductor s'est nettement rapproché de ce qui se fait actuellement sur la NAND 3D utilisée dans les SSD notamment.
128 Gbit sur 230 couches
De manière schématique – mais aussi de sorte que l'on puisse comprendre – Andy Hsu, fondateur et P.-D.G. de NEO Semiconductor, en parle en évoquant une technique qui « simplifie les étapes du processus et fournit une solution à haute vitesse, haute densité, faible coût et haut rendement ».
Il s'agit de partir du concept de base de la DRAM classique – une cellule à corps flottant 2D – et de le transposer à la 3D, le corps flottant enveloppant alors littéralement la ligne de bits. Une telle technique a l'avantage de ne nécessiter qu'un seul masque pour définir la structure globale : la ligne de bits étant verticale, elle « traverse » les différentes couches en les interconnectant toutes, augmentant de fait la densité.
NEO Semiconductor parle d'une densité de 128 Gbit sur 230 couches, ce qui représente huit fois plus que ce que l'on obtient sur la DRAM d'aujourd'hui. La firme se veut confiante et évoque des circuits intégrés de 1 Tbit d'ici à 2030 alors que la DRAM 2D serait vite limitée dans ses possibilités d'évolution.
C'est peut-être à ce niveau que le bât blesse. Nous avons effectivement du mal à voir des sociétés comme Samsung stopper toute évolution, alors qu'il est déjà question de doubler la capacité de ses modules de DDR5 avant la fin de l'année, et qu'un nouveau doublement pourrait arriver en 2024 ou 2025.
Source : NEO Semiconductor
