Une révolution des débits et des modes opératoires par rapport à la précédente génération, la DDR4.
En janvier 2019, la plupart des observateurs estimaient que la DDR5 serait disponible en masse courant 2020. La pandémie de Covid-19 s'est invitée et a chamboulé les plans de toute l'industrie avec, à la clé, des retards dans tous les domaines.
DDR5 6400 : des benchmarks très prometteurs
Un empilement de 8 puces de DRAM 16 Go
Quelques jours après le début du printemps 2021, Samsung annonce la production de la première barrette de 512 Go de DDR5. Une barrette qui exploite la technique dite de « through-silicon via » ou TSV.
Ce nouveau mode de production a permis à Samsung de littéralement empiler huit couches de puces DRAM de 16 Gb chacune et, de fait, d'atteindre cette impressionnante capacité de 512 Go à raison de 32 modules par barrette.
Samsung évoque des performances remarquables aevc des débits de l'ordre de 7 200 Mbps. En single channel, une barrette serait ainsi capable de 57,6 Go/s et devrait se retrouver dans des structures de calculs intensifs et d'analyse de données.
Le Sud-Coréen insiste aussi sur l'utilisation de matériau dit High-K Metal Gate (HKMG) pour remplacer l'isolant traditionnel. Une technologie généralement utilisée sur les processeurs.
Le HKMG a déjà été employé pour la conception de puces GDDR6 notamment et Samsung précise que cela permet de réduire les fuites, boostant de fait les performances. De plus, la barrette se trouve plus économe : la consommation d'énergie serait en baisse de 13 %.
Source : Neowin
