La course vers l'infiniment petit repose sur la recherche et l'utilisation de nouveaux matériaux.
Il y a vingt ans de cela, Intel gravait ses puces comme le Pentium 4 selon un procédé en 130 nm. Aujourd'hui, si le fondeur américain est - enfin ! - en train de passer à grande échelle au 10 nm, certains de ses concurrents vont beaucoup plus loin.
Semi-metal bismuth
Il y a quelques jours, IBM a dévoilé une technique permettant d'envisager prochainement la production de semi-conducteurs en 2 nm, mais TSMC est encore plus ambitieux. Plus importante fonderie de semi-conducteurs indépendante au monde, la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company emploie largement sur le processus 7 nm, mais produit déjà quantités de puces 5 nm.
Il y a quelques semaines, elle confirmait son intention d'évoluer « rapidement » vers le 3 nm, mais il s'agit cette fois de damer le pion d'IBM en évoquant le 1 nm. Se basant sur des travaux réalisés conjointement avec la National University of Taiwan et le Massachusetts Institute of Technology, TSMC confirme le développement d'un matériau baptisé semi-metal bismuth.
L'idée est ici de compenser les limitations du silicium. De nombreux spécialistes estiment effectivement qu'on arrive aujourd'hui aux limites physiques de ce matériau et que de nouvelles solutions sont nécessaires. À en croire TSMC, ce semi-metal bismuth serait une partie de la solution, mais il ne faut pas attendre les premières puces avant encore quelques années.
Source : Neowin
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