Samsung précise que deux chips de ce type, gravés en 0.09 micron, peuvent être "empilés" pour offrir une capacité mémoire DRAM de 1 Gbit (128 Mo) dans les téléphones mobiles. Ces chips alimentés par une tension de 1.8V, seront proposés en versions SDRAM et DDR. Ils seront produits en masse à partir du début du second semestre 2005.
Samsung cible principalement la nouvelle vague de téléphone mobile compatible 3G avec ces chips. Les ventes de téléphones mobiles 3G (compatible avec les nouveaux réseaux haut débit de téléphonie mobile) devraient augmenter cette année de 67% et devrait atteindre des ventes équivalentes à 280 millions d'unités en 2008, 790 millions de téléphones mobiles (toutes catégories confondues) devraient être vendus en 2008.
