Ils sauront également gérer une certaine quantité de mémoire externe, de type DRAM, qui servira de tampon - ou cache - de façon à améliorer les performances générales de l'ensemble. Selon SiS, le gain serait particulièrement sensible sur les opérations d'écriture aléatoire.
Tous deux disposeraient en outre de mécanismes chargés de répartir l'utilisation des puces de mémoire, de façon à ralentir l'usure. Le LVR815 saura gérer la mémoire Flash sur quatre canaux, contre huit pour le LVR820, qui se destinera donc aux SSD de grande capacité. Gravés en 110 nanomètres, ces deux contrôleurs seront produits en masse à partir de juin 2009, promet SiS.
Pour le fabricant taïwanais, soumis à rude épreuve sur son coeur de marché (chipsets et contrôleurs graphiques intégrés notamment), l'essor du SSD constitue donc un potentiel relais de croissance. Du point de vue du consommateur, la nouvelle est également bienvenue : l'arrivée de nouveaux acteurs ne peut que stimuler la concurrence.