Alternative à la GDDR que nous connaissons sur nos cartes graphiques, la HBM se veut encore plus rapide, avec des débits toujours plus élevés.
HBM, un sigle qui est là pour High-Bandwidth Memory ou mémoire à bande passante élevée. Un type de mémoire que l'on rencontre assez peu dans le PC de M. Tout-le-Monde, mais qui joue déjà un rôle prépondérant.
Le but de cette HBM est effectivement de soutenir les besoins d'une industrie toujours plus exigeante côté débits et accessibilité des données, une industrie en pleine croissance, les accélérateurs d'intelligence artificielle.
Production de masse dès 2025
Déjà bien en place sur ce segment d'activité, Samsung Electronics – la division semi-conducteurs du célèbre groupe sud-coréen – n'est toutefois pas seule et pour se distinguer, elle compte sur une nouvelle génération de puces.
Il faut savoir que la première génération de HBM n'est pas le fait de Samsung, mais de son éternel concurrent et pourtant compatriote, SK Hynix, et a été lancée en 2013. Année après année, de nouvelles versions sont apparues poussées par le duo Samsung/SK Hynix ainsi que l'Américaine Micron.
Aujourd'hui, il est donc question de remplacer les diverses variantes de la HBM3 par une nouvelle itération que Samsung envisage de produire en masse à l'horizon 2025.
Un bus d'interface doublé ?
Selon les dernières informations – pas toutes confirmées par les principaux intéressés – l'interface mémoire de l'HBM4 pourrait doubler pour atteindre 2048-bit. Logiquement, la bande passante serait largement améliorée par rapport à la dernière version signée Samsung de la HBM3E.
« Samsung a produit en masse l'HBM2E et l'HBM3, et a développé la version HBM3E à 9,8 gigabits par seconde (Gbps) que nous commencerons à distribuer aux clients pour continuer à enrichir l'écosystème HP/AI. L'HBM4 devrait être introduite d'ici 2025 avec des technologies optimisées pour une meilleure efficacité thermique en développement tels l'assemblage de film non conducteur (NCF) et la liaison hybride en cuivre (HBC) ».
Vice président exécutif en produit et technologie DRAM chez Samsung, Sang Joon Hwang ne semble pas peu fier des avancées de son groupe, mais il ne détaille pas les caractéristiques techniques de cette HBM4. Nous attendons évidemment les réponses de Micron et SK Hynix.
Source : Samsung
