Principalement destinées aux accélérateurs AI, les nouvelles puces de mémoire Micron HBM3 Gen2 ont un cran d'avance.
Connue – comme son nom l'indique – pour sa bande passante très élevée, la mémoire HBM (High Bandwith Memory) a d'emblée été conçue pour une rivale à moins hautes fréquences que la GDDR.
Efficacité 2,5x supérieure à l'HBM2E
Une rivale qui progresse, génération après génération, pour aujourd'hui se prévaloir d'une « bande passante agrégée » de 1,2 To/s à en croire l'annonce tout juste faite par une spécialiste du secteur, Micron.
La société américaine vient effectivement de préciser que sa HBM3 Gen2 est en cours de livraison à ses clients. Micron souligne que sa mémoire est « la plus rapide du monde » avec un empilement, lui aussi record, de 8 piles pour la capacité de 24 Go. La notion d'empilement est à la base de la technologie HBM et Micron évoque déjà du 12 piles (36 Go) « pour bientôt ».
Cerise sur le gâteau, Micron précise que l'HBM3 Gen2 est sa mémoire la plus efficace marquant un rendement par watt environ 2,5 fois supérieur à ce que pouvait atteindre sa génération précédente, l'HBM2E.
Vers l' « HBMNext »… en 2026
Très concurrentiel, alors que la course aux armements a repris de plus belle avec le développement des accélérateurs AI particulièrement gourmands en mémoire, ce marché fera évidemment bon usage de cette bande passante supplémentaire offerte par l'HBM3 Gen2 laquelle remplace donc l'HBM2E chez Micron. Pourquoi pas d'HBM3 Gen1 d'abord ? Les experts marketing de la société ont estimé que Gen 2 était « plus indiqué pour représenter le bond considérable en performances, capacité et efficacité énergétique ».
Si les performances et la capacité progressent considérablement, Micron a été en mesure de garder des dimensions identiques (11 x 11 mm) pour ses puces, ce qui traduit « un accroissement dramatique de la densité des composants » comme la société se plait à présenter la chose. De plus, son HBM3 Gen2 est compatible broche à broche avec les composants de HBM3 actuels, ce qui simplifie la montée en gamme. Une montée en gamme qui offre un gain de 50 % en bande passante par rapport aux mémoires actuelles.
Micron n'est que la seconde société à déployer des modules de HBM3 de seconde génération, après SK Hynix. Cependant, compte tenu des chiffres avancés (1 To/s de bande passante), le produit Micron est supérieur de plus ou moins 20 %. L'Américaine ne compte d'ailleurs pas en rester là et travaille à la prochaine génération de mémoire HBM pour l'heure baptisée « HBMNext ». Elle devrait arriver courant 2026, offrir des capacités allant jusqu'à 64 Go et une bande passante supérieure à 2 To/s.
Source : Tom's Hardware
