Si elles ne sont plus que trois à se disputer le titre de numéro un de la gravure, les sociétés Intel, Samsung et TSMC ne mâchent pas leurs mots à l'égard des autres.
La question de la finesse de gravure des semi-conducteurs est un sujet complexe. Il n'existe pas de définition universelle et derrière la finesse affichée (chiffrée en nanomètre) subsistent des réalités bien différentes.
C'est la raison pour laquelle Intel a changé de dénomination et plutôt que de parler en nm, elle évoque l'Intel 3, Intel 20A et Intel 18A. Des appellations qui ne font pas peur au numéro un du secteur, TSMC.
TSMC bombe le torse
À l'occasion de la présentation des résultats financiers du groupe taïwanais, C.C. Wei – le Directeur général de TSMC – a d'ailleurs eu des mots très clairs pour décrire la situation de son entreprise et de ses concurrentes.
« Nous ne sous-estimons aucun de nos concurrents et ne les prenons pas à la légère. Cela dit, notre évaluation interne montre que notre technologie N3P, maintenant, je le répète, la technologie N3P a démontré un PPA comparable au 18A, la technologie concurrente, mais avec un délai de commercialisation plus rapide, une meilleure maturité technologique et un bien meilleur coût.
En fait, permettez-moi de le répéter encore une fois, notre technologie de 2 nanomètres sans alimentation arrière est plus avancée que le N3P et le 18A, et sera la technologie la plus avancée lorsqu'elle sera introduite en 2025 ».
Nanosheet vs nanoribbon vs GAAFET
Au-delà de toute polémique, cette réponse apportée à une question de Gokul Hariharan – analyste pour JPMorgan Chase – à propos de la concurrence à laquelle TSMC doit faire face illustre la confiance du groupe taïwanais.
Une confiance que l'on imagine d'abord « politique » alors qu'Intel ne manque pas une occasion de rappeler qu'elle est de retour et qu'elle ambitionne de doubler TSMC sur le 2 nm. L'Intel 18A ne ferait donc pas peur à TSMC qui semble pourtant rencontrer quelques difficultés sur ses derniers processus (N3P notamment), lesquels s'appuient sur des techniques d'alimentation électrique plus traditionnelles.
C.C. Wei souligne par ailleurs que la technologie 2 nm de TSMC (le N2) est plus avancée que les concurrentes. Difficile de savoir s'il a raison, mais rappelons simplement que cette « avancée » est aussi à l'origine de plusieurs rumeurs à propos d'un éventuel report du N2 : TSMC aurait des difficultés à passer de transistors FinFET à ses transistors « nanosheet » que l'on connaît sous le nom de « nanoribbon » chez Intel ou « GAAFET » chez Samsung.
N'oublions effectivement pas que cette course vers l'infiniment petit est pour l'heure en opposition entre trois géants : à côté de TSMC – numéro un mondial – et d'Intel, il y a également Samsung qui reste bien ancrée à sa seconde place et qui n'hésite pas à dire que son procédé 3 nm est plus efficace que celui de TSMC. Guerre de la communication, quand tu nous tiens !
Source : Wccftech
