La nouvelle architecture promet un bond de performance de 50% en écriture et 125% en lecture, notamment en employant un nouveau type d'interface DDR (Double Data Rate). Le nouveau SSD délivre ainsi un taux de transfert séquentiel de 250 Mo par seconde en lecture et de 220 Mo par seconde en écriture. Il se contente donc d'une interface Serial ATA à 3 Gbps, qu'il ne parvient pas encore à saturer.
Les puces NAND de 32 Gbit chacune passent quant à elles de 40 nm sur le précédent modèle à seulement 30 nm sur le nouveau. Le contrôleur prend en charge la fonction TRIM, qui permet à Windows 7 d'effacer les cellules à mesure qu'elles sont libérées pour accélérer leur écriture ultérieure. Il offre enfin le chiffrement AES matériel sur 256 bits.
Samsung n'a communiqué aucun prix ni aucune date de lancement pour son nouveau SSD de 512 Go, tout juste sait-on qu'il prévoit d'en démarrer la production de masse le mois prochain.
