Mémoire Flash 3 bits par cellule en 25 nm chez Intel et Micron

La coentreprise montée par Intel et Micron vient d'annoncer l'entrée en production prochaine de puces de mémoire Flash capables de contenir trois bits par cellule et gravées en 25 nanomètres. Plus petites que les générations précédentes, ces puces sont tout particulièrement destinées au marché des clés USB et des cartes mémoire. Selon les deux fabricants, elles favoriseront la progression des capacités et la réduction de l'encombrement de ces périphériques de stockage. La matrice nécessaire au stockage de 8 Go d'informations n'occuperait ainsi plus que 131 mm2, soit une réduction de 20% par rapport aux puces mémoire MLC (2 bits par cellule) gravées en 25 nanomètres.

Inconvénient de cette augmentation de la densité de stockage : les performances en lecture écriture sont susceptibles de s'en ressentir sérieusement, à moins que des contrôleurs dédiées voient le jour. Il n'est donc pas certain que ces puces de type TLC (triple level cell) soient dans l'immédiat utilisées dans les SSD. Selon la dernière feuille de route d'Intel, les disques à mémoire de la marque profiteront toutefois bientôt de puces MLC gravées en 25 nm, ce qui devrait déjà contribuer à démocratiser cette technologie encore très onéreuse. Du moins, beaucoup l'espèrent.

Intel et Micron indiquent que les premiers exemplaires de test de cette mémoire à « trois niveaux » ont déjà été expédiés à certains fabricants partenaires. L'entrée en production devrait quant à elle intervenir début 2011.