Samsung SSD 830 : mémoire toggle DDR en 2x nm et jusqu'à 512 Go (màj)

Romain Heuillard
Publié le 18 août 2011 à 14h31
Fournisseur majeur de mémoire flash, à destination notamment du marché du SSD, mais acteur encore discret sous sa propre marque, Samsung a annoncé hier un nouveau modèle haute performance, le « PM830 », qui succède au 470 Series annoncé il y a un an.

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Samsung concurrence dorénavant les SSD de dernière génération avec le « PM830 », qui entre à juste titre dans l'ère Serial ATA à 6 Gbps. Le modèle de 512 Go offre effectivement des taux de transferts de 500 Mo/s en lecture séquentielle et de 350 Mo/s en écriture séquentielle. Ni ses performances en aléatoire ni son endurance n'ont malheureusement été communiquées, deux critères pourtant décisifs.

On sait en revanche qu'il exploite l'interface mémoire toggle DDR, qui permet la conception de SSD de 512 Go sans concession sur les performances. Ses puces MLC (multicouches) de 8 Go chacune reposent sur un procédé de fabrication de l'ordre de 20 nm (entre 20 et 29 nm compris). Le contrôleur employé n'est pas communiqué non plus mais on sait qu'il prend en charge le chiffrement matériel AES sur 256 bits.

Le SSD « Samsung PM830 » est décliné en capacité de 128 Go, 256 Go et 512 Go. La production de masse a démarré ce mois-ci et leur commercialisation est imminente, pour des tarifs... non communiqués ! Ce nouveau modèle n'est pour l'heure proposé qu'aux intégrateurs, il sera commercialisé auprès du grand public ultérieurement.

Mise à jour du 18/08/2011 à 14 h 31 :

Samsung a confirmé hier la commercialisation d'une variante grand public du PM830, qui sera tout simplement vendu sous le nom « Samsung SSD 830 » en capacité de 64, 128, 256 et 512 Go à partir du mois d'octobre, pour des prix toujours inconnus. En dehors de la disponibilité d'une capacité supplémentaire (64 Go), il partage l'intégralité de sa fiche technique avec le PM830, et revendique par conséquent les mêmes performances.

(Article initialement publié le 11/08/2011 à 10 h 43)
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