Alors que la bataille de la mémoire flash se menait sur le terrain de la finesse de gravure, elle se déporte désormais sur la NAND 3D. Après Samsung, dont le 850 Pro embarque déjà cette technologie, c'est donc au tour d'Intel / Micron d'annoncer ses avancées en la matière.
Lors d'une réunion regroupant des investisseurs, le fondeur a présenté dans les grandes lignes sa NAND 3D. Composées de 32 couches (comme chez Samsung), ces puces embarqueront des dies de 32 Go, voire 48 Go pour une conception en TLC.
Grâce à une gravure probablement plus fine que celle utilisée par Samsung (40 nm), Intel promet une vraie différence quant aux coûts de production par rapport au procédé de son concurrent qui, selon toute vraisemblance, devrait toutefois faire évoluer sa NAND 3D dans le courant de l'année prochaine.
Rob Crooke, manager général de la division mémoire non volatile d'Intel, assure que cette mémoire 3D permettra la production de SSD d'une capacité de 10 To ou de réduire les puces de 1 To à moins de 2 mm, ce qui devrait considérablement profiter aux smartphones et autres tablettes. Et ce, dans les deux ans.
