SSD grand public : Samsung montera à 4 To début 2016

Alexandre Laurent
Publié le 22 septembre 2015 à 09h53
Samsung a annoncé mardi que ses gammes de SSD grand public comprendraient dès 2016 des modèles proposant 4 To de stockage grâce au recours à sa dernière génération de mémoire Flash V-NAND.

La capacité plafond pour un SSD grand public au format 2,5 pouces s'établira à 4 To en 2016. Telle est du moins la promesse formulée par Samsung mardi à Séoul à l'occasion de son SSD Global Summit : le sud-coréen y a annoncé qu'il doublerait bientôt la capacité maximale de ses 850 Pro et EVO, qui ne sont pourtant passés à 2 To qu'en juillet dernier.

Ce doublement découle d'une autre avancée bouclée dans le courant de l'été : l'entrée en production d'une nouvelle génération de mémoire Flash gravée en 3D (baptisée V-NAND chez Samsung). Les modules mémoire ainsi conçus font désormais appel à 48 puces empilées sur un seul et même die. Avec trois bits stockés par cellule (mémoire MLC ou plus précisément TLC), Samsung atteint ainsi 32 Go par module mémoire, contre 16 Go sur la génération précédente qui équipe toujours le 850 Pro actuel.

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Les déclinaisons mobiles de la gamme grand public 850 EVO connaîtront le même chemin, avec une capacité maximale portée à 1 To sur les modèles M.2 et mSATA.

Reste à savoir quel sera l'impact de cette nouvelle mémoire sur les performances : à pleine capacité, Samsung annonce des débits similaires à ceux des 850 Pro actuels, mais l'ensemble de la gamme devrait migrer sur les puces à 48 couches de façon à rationaliser les coûts de fabrication, ce qui pourrait pénaliser les petites capacités.

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On peut également s'interroger sur la réalité d'une demande commerciale sur de telles capacités en 2016. Pour l'instant, Samsung n'annonce aucun prix public pour ses futurs modèles 4 To, mais à titre de comparaison, un 850 Pro de 2 To est aujourd'hui vendu plus ou moins 850 euros, soit 0,425 euro par Go.

La gamme 950 Pro qui exploite le NVM Express sur un SSD au format M.2 reste quant à elle pour l'instant sur la mémoire V-NAND de génération précédente, mais devrait elle aussi migrer courant 2016.

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