Dans un communiqué, Samsung a annoncé aujourd'hui la mise en production à grande échelle de la toute nouvelle génération de puces V-NAND, équipant notamment ses SSD. Au menu ? 96 couches de mémoire, contre 64 pour la génération actuelle.
Contrairement à d'autres types de puces, la finesse de gravure est reléguée au second plan lorsque l'on parle de mémoire Flash.
Moins coûteuse, et plus prometteuse en termes de gains de performances purs, la technique dite de l'empilement de couches de mémoire a été retenue par les industriels.
Et à ce petit jeu, Samsung vient de faire une belle avancée. Le géant sud-coréen annonce aujourd'hui entamer la production de masse de sa nouvelle puce 3D NAND de cinquième génération, embarquant 96 couches de mémoire, contre 64 auparavant.
Des débits plus rapides, pour des stockages plus importants
Samsung annonce des capacités de 256 Gbits et des débits jamais vus jusqu'à présent.Les nouvelles puces 3D V-NAND de Samsung seraient capables de monter jusqu'à 1,4 Gb/s en écriture, soit plus de 1,5 fois plus rapides que sur la V-NAND de 48 couches. La latence en écriture diminue de 30% par rapport au V-NAND 64 couches (autour de 500 µs), et « significativement réduite » en lecture.
Samsung promet également de belles baisses de consommation d'énergie. La nouvelle puce du Sud-Coréen fonctionnera sous 2,5 V, contre 3,3 V actuellement. La longévité des appareils l'embarquant ne s'en verra qu'améliorée.
