Le Sud-coréen envisage déjà des lecteurs SSD équipés de V-NAND sur plus de 1 000 couches.
En 2013, Samsung était le premier à entrer dans la fabrication de masse de NAND 3D. Il s'agissait alors de mémoires 24 couches et, aujourd'hui, le Sud-coréen embraye sur l'annonce de Micron et de sa mémoire 176 couches.
176 couches : une première étape
À en croire les informations publiées par Tom's Hardware, la production de cette V-NAND sur 176 couches est dans les clous pour cette année, mais il n'est pas encore question de calendrier précis pour les SSD qui en découleront très prochainement.
De tels périphériques de stockage devraient évidemment profiter d'une telle mémoire qui, selon Samsung, autorise des débits de 2 000 MT/s. Le Sud-coréen envisage déjà des périphériques en PCIe Express 4.0 bien sûr, mais aussi en PCI Express 5.0.
Samsung prépare un nouveau contrôleur pour accompagner cette V-NAND afin de donner un successeur au 980 PRO que nous testions il y a quelques mois sur Clubic.
Des échantillons à plus de 200 couches
En plus d'offrir de meilleures performances, les premiers SSD fondés sur de la V-NAND 176 couches devraient aussi être l'occasion de doper un peu les capacités, mais ce n'est de toute façon qu'un début pour Samsung qui voit déjà plus loin, beaucoup plus loin.
Le fabricant a ainsi évoqué l'existence de premiers échantillons de V-NAND de huitième génération, une mémoire de plus de 200 couches qu'il prépare « en fonction de la demande du marché ». Tom's Hardware rappelle que de nouvelles générations de NAND arrivent tous les 12-18 mois, le calcul n'est donc pas trop difficile à faire.
Cette forme de « montée en puissance » implique toutefois de repenser les processus de production et d'envisager des matériaux inédits. SK Hynix a déjà évoqué de la NAND avec plus de 600 couches, mais Samsung vise encore bien plus haut, avec des chips de plus de 1 000 couches… Reste à voir dans combien de temps.
Source : Tom's Hardware
