Cette nouvelle génération de mémoire devrait utiliser des charges magnétiques pour stocker les informations (MRAM pour Magnetic Random Access Memory) au contraire de la mémoire actuelle (DRAM pour Direct Random Access Memory), qui utilise des charges electroniques.
Selon IBM et Infeneon cette nouvelle génération de mémoire devrait être capable de stocker plus d'informations et possédera un temps d'accès record. Sa consommation électrique étant minime la mémoire MRAM devrait être utilisée en masse dans les Ordinateurs Portables.
A noter également que la MRAM devrait être capable de garder les informations stockées même lorsque l'ordinateur passera en mode veille, grâce à la MRAM le "reveil" d'un ordinateur en mode veille devrait donc être quasi instantané.
Les deux associés, IBM et Infeneon prévoient de lancer officiellement la MRAM sur le marché en 2004, la mémoire DRAM à donc encore de beaux jours devant-elle.
