IM Flash Technologies, la coentreprise formée par Intel et Micron dans le but de lutter contre le ténor du secteur de la mémoire flash qu'est Samsung, vient d'annoncer la fabrication de ses premiers modules de mémoire flash NAND gravés en 50 nanomètres. Les premiers exemplaires produits proposent une capacité de 512 Mo mais les deux sociétés comptent bien ne pas s'arrêter là et proposer toute une gamme de puces de mémoire flash NAND gravées en 50 nm pour couvrir l'ensemble des besoins du secteur d'ici 2007, date à laquelle commencera la production de masse.
Micron, qui n'a débuté ses activités dans le secteur de la mémoire flash qu'en 2004, avec des procédés de production permettant une finesse de gravure de 90 nm, indique que ses équipements seront prochainement adaptés au 50 nm.
Les deux sociétés en profitent pour rappeler l'importance du marché de la mémoire flash NAND, et citent les résultats d'une étude qui pronostique des revenus de l'ordre de 13 à 16 milliards de dollars sur ce secteur pour 2006, pouvant atteindre 25 ou 30 milliards de dollars en 2010.
