L'usine a démarré la production de masse ce mois-ci avec un procédé de fabrication en 24 nm sur des galettes de silicium (wafer) de 300 mm de diamètre. L'usine entamera prochainement une transition vers le procédé de fabrication en 19 nm récemment annoncé par Toshiba, qui devrait être le plus fin au monde lorsqu'il sera opérationnel.
La construction de la Fab 5 avait débuté au mois de juillet 2010, au centre opérationnel de Toshiba, à Yokkaichi au Japon, pour s'achever au mois de mars 2011. Ce bâtiment dernier cri de 38 000 m² bénéficie d'une structure absorbant les secousses des séismes et de plusieurs systèmes de secours différents en cas de coupure de courant. Éclairage à LED et équipements de production économes en énergie lui permettent d'ailleurs d'émettre 12 % de CO2 de moins que la Fab 4.
L'usine est opérée par la joint venture Flash Forward, détenue à 50,1 % par Toshiba et à 49,9 % par SanDisk.
La Fab 5 fournira en puces mémoire les fabricants de cartes mémoires et de SSD, l'augmentation de la finesse de gravure permettant d'abaisser le coût de production et donc le prix de vente.
La Fab 5 est le bâtiment du haut.
