Ce contrôleur, qui sera commercialisé sous marque Indilinx, repose sur un processeur ARM double coeur, accompagné d'un maximum de 512 Mo de DDR3 à 400 MHz destiné à la mise en cache des contenus. Susceptible de gérer jusqu'à 1 To de mémoire Flash, il serait d'ores et déjà compatible avec les futures puces gravées en 1x nm et sait gérer aussi bien les cellules SLC (simple level) et MLC (multi level) que TLC (triple level, voir par exemple cet article).
Opérant sur huit canaux, il accepte mémoire synchrone (ONFI 2.0) ou asynchrone (Toggle 1.0) avec un taux pouvant se monter à 200 MT/s (mégatransferts par seconde), alors que la concurrence se limiterait selon OCZ à 166 MT/s (que ne sature de toute façon pas la mémoire actuelle). Sur le plan pratique, OCZ promet des débits pouvant atteindre 500 Mo/s sur l'interface SATA 6 Gb/s utilisée.
Le contrôleur intégrerait enfin divers raffinements maison : algorithmes visant à accélérer le démarrage, optimisations au niveau du traitement des blocs de petite taille (de 4 à 16 Ko) ou technologie baptisée Ndurance qui d'après OCZ qui se garde bien d'entrer plus avant dans les détails, permettrait de réduire l'usure des cellules de mémoire.
L'américain indique que l'Everest est actuellement proposé aux OEM pour validation. Il n'indique pas pour l'instant si ce nouveau contrôleur sera bientôt intégré à l'un des produits finaux commercialisés sous la marque OCZ, mais l'hypothèse parait des plus plausibles.
Ci-dessous, la liste des caractéristiques de l'Everest telle que livrée par OCZ :
- SATA Revision 3.0 - Supports 6Gbps, 3Gbps, and 1.5Gbps interface speeds
- Dual Core ARM CPU
- 1TB Maximum Capacity
- High Sequential Speeds
- High Transactional Performance - Optimized for 4K to 16K Compressed Files
- Up to 8 Channels of ONFI 2.0/Toggle 1.0 Flash at up to 200MT/s with up to 16-way Interleaving
- Advanced BCH ECC engine -over 70 bits per defined sector
- 400MHz DDR3 DRAM Cache Interface with Support for up to 512MB
- Proprietary Ndurance™ Technology
- Enhanced Power Fail Protection
- Supports up to 1xnm Node NAND Flash with 1, 2, or 3 bits per cell
- Efficient NAND Flash Management - Dynamic and Static Wear-Leveling, and Background Garbage Collection
- Boot Time Reduction Optimizations - Collaborative Platform Development
- NCQ Support up to 32 Queue Depth
- End-to-End Data Protection
- TRIM Support
- Numerous Over-Provisioning Options
- Industry Standard SMART Reporting