La nouvelle variante bénéficie d'une dénomination distincte. Comme son nom l'indique, le « Vertex 3.20 » adopte le dernier procédé de fabrication en 20 nm de mémoire flash NAND MLC d'IMFT, la joint-venture entre Intel et Micron. Son aîné reposait sur des puces en 25 nm.
Dans le domaine de la mémoire flash, une plus grande finesse de gravure apporte le compromis suivant : des performances et une endurance en légère baisse mais, une fois que le procédé est maitrisé, un cout au gigaoctet plus attractif.
En l'occurrence, les performances varient à la hausse comme à la baisse, probablement en raison d'un agencement interne différent et/ou à de différences de firmware. En écriture séquentielle, le modèle de 120 Go est désormais aussi rapide que celui de 240 Go, puisqu'il passe de 500 à 520 Mo/s. En lecture aléatoire, le modèle de 120 Go passe de 20 000 à 40 000 IOPS, mais celui de 240 Go passe de 40 000 à 35 000. En écriture aléatoire enfin, le modèle de 120 Go passe de 60 000 à 40 000 IOPS mais celui de 240 Go passe au contraire de 60 000 à 65 000.
Les tarifs des nouveaux « OCZ Vertex 3.20 » de 120 et 240 Go ne sont pas communiqués, mais on peut s'attendre à une baisse supplémentaire du cout au gigaoctet. Les Vertex 4 et Vector s'en tiennent pour l'heure au 25 nm, qui reste plus performant à ce jour.
