La « classe 10 » est décernée aux cartes mémoires dont le taux de transfert en écriture est d'au moins 10 Mo/s. La nouvelle carte microSD de Samsung offre en l'occurrence un taux de transfert séquentiel de 12 Mo/s en écriture et de 24 Mo/s en lecture.
Elle repose pour ce faire sur des puces de mémoire NAND Flash à 3 bits par cellule adoptant un procédé de fabrication de l'ordre de 20 nm (compris entre 20 et 29 nm), et sur un contrôleur propriétaire conçu spécifiquement pour celles-ci. Les cartes mémoires en trentaine de nanomètre avaient été lancées en février 2010. L'amélioration du procédé de fabrication permet pour rappel de diminuer les coûts de fabrication.
Samsung a donc démarré la production d'une telle carte mémoire microSD class 10 de 32 Go, pour une commercialisation ces prochaines semaines à un prix inconnu, et a déjà prévu de lancer une variante de 64 Go début 2012.
