Si cette nouvelle est importante, c'est parce qu'on entendait jusqu'à maintenant que les techniques actuelles de fabrication des puces plafonnaient à 10 nm. Pour parvenir à une finesse de gravure de 7 nm, IBM Research Alliance a dû mettre au point des nouvelles techniques de fabrication. Tout d'abord sur la matière puisque le silicium habituellement utilisé dans l'élaboration des transistors ne dispose pas d'une conductivité suffisante pour assurer un bon fonctionnement avec une gravure aussi fine. IBM a donc mélangé un peu de germanium au silicium : l'alliage ainsi obtenu (SiGe) permet lui d'assurer le flux de courant nécessaire. D'après nos confrères d'Arstechnica, Intel et Taiwan Semiconductor Manufacturing Company pourraient bien suivre une voie similaire à l'avenir.
L'autre innovation à mettre au crédit d'IBM, c'est l'emploi d'une méthode de gravure par lithographie EUV ou Extreme Ultra Violet. Au lieu d'utiliser le laser ArF (Argon Fluoride) habituel, caractérisé par une longueur d'onde lumineuse de 193 nm, IBM a opté pour les ultraviolets qui disposent eux d'une longueur d'onde de 13,5 nm. De quoi passer beaucoup plus facilement sous la barre des 10 nm, même si la technique est décrite plus coûteuse et donc difficile à déployer commercialement. IBM, GlobalFoundries et Samsung espèrent sortir leurs puces en 7 nm d'ici 2017, voire 2018.
Maintenant, cette nouvelle est également importante en raison de la promesse qu'elle porte : avec près de 50% de réduction de la surface et au moins 50% de gain sur le rapport performances / consommation, par rapport à du 10 nm alors qu'on n'en est qu'au 14 nm, l'avenir s'annonce toujours plus miniature et donc mobile !
