Depuis maintenant de longs mois, différents constructeurs tentent de mettre au point le futur de la mémoire vive, à savoir l'Hybrid Memory Cube. Le principe de cette mémoire : des connexions verticales, disposées au cœur même des die, relient entre elles plusieurs couches de mémoire. Des puces en « trois dimensions », à l'instar du tri-gate d'Intel. La longueur des connexions s'en trouve considérablement réduite, diminuant la taille du module de mémoire et améliorant considérablement les performances.
Différents prototypes ont été dévoilés depuis le début des recherches : Micron, par exemple, présentait il y a un an et demi un module capable d'un débit de 128 Go/s, brisant ainsi le « mur de la mémoire », d'après les termes du constructeur, qui désignait alors les performances en stagnation de la mémoire vive.
Aujourd'hui, le consortium publie les spécifications 1.0 de la HMC, rendant ainsi possible la mise en place de la chaîne de production autour de ce nouveau type de mémoire. Parmi ces spécifications, un chiffre, celui du débit attendu : 320 Go/s. En comparaison, la DDR3 1 600 MHz permet des débits de l'ordre de 12,8 Go/s. La mémoire HMC sera donc 25 plus rapide que la génération actuelle.
Si le consortium promet l'arrivée de produits pour la seconde partie de l'année, difficile de croire que le grand public aura accès à cette technologie dans les mois prochains. Il faudra probablement attendre 2014, voire 2015 pour que la HMC se démocratise.
