La division semi-conducteurs de Samsung a annoncé hier avoir démarré la production de masse de puces de mémoire vive DDR4, ce qui confirme que la technologie est arrivée à maturité. Jusqu'à présent les puces de DDR4 produites n'étaient effectivement que des échantillons.
Le 2x nm permet de loger deux fois plus de puces par face
En l'occurrence les puces sont fabriquées avec une finesse de gravure de l'ordre de 20 nm, c'est-à-dire comprise entre 20 et 30 nm, et font 4 Gb, soit 512 Mo. Elles permettront de produire facilement des modules de 16 ou de 32 Go. À titre de comparaison, la norme actuelle en matière de DDR3 pour serveur et station de travail est 8 Go en 3X nm.
Sur le plan des performances, ces puces seraient 1,25 fois plus performantes que des puces DDR3 courantes, avec une bande passante de 2667 Mb/s, tout en étant 30% plus économes en énergie.
Mais la DDR4 ne devrait démarrer sa carrière auprès du grand public qu'au second semestre 2014, puisque les premiers processeurs à l'exploiter seront les Intel Haswell-E attendus aux dernières nouvelles à cette période. La DDR4 donnera quoi qu'il en soit un coup de jeune à la mémoire vive, en succédant finalement à la DDR3 qui a démarré sa carrière en 2007, du temps des Core 2 Duo.
