La mémoire flash présente dans les smartphones est notamment un enjeu majeur pour Kioxia, Micron, Samsung, SK Hynix ou Western Digital.
Le duel à distance autour de la mémoire flash NAND se poursuit entre SK Hynix et Samsung. La seconde vient de répondre aux annonces récentes faites par la première.
« Seulement » 300 couches chez Samsung…
Il y a une dizaine de jours, SK Hynix profitait du Flash Memory Summit 2023 de Santa Clara en Californie pour présenter ses premières puces de mémoire flash NAND dotées de 321 couches.
La firme sud-coréenne tenait alors une promesse faite quelques mois auparavant en proposant des puces de 1 Tb (128 Go) à la densité bien supérieure à celle de sa génération précédente, en 238 couches. SK Hynix confirmait l'utilisation de puces dites TLC, pour triple level cell ou cellule triple niveau, et n'était pas peu fière d'annoncer « une amélioration de 59 % de la productivité ».
Sa compatriote et principale concurrente sur ce secteur d'activité, Samsung, ne pouvait évidemment pas rester sans réagir, même si la firme n'a « que » des puces en 300 couches à mettre en face.
… mais une production en route courant 2024
L'annonce n'a toutefois pas été faite de manière aussi formelle que celle de SK Hynix, et c'est le Seoul Economic Daily qui, cité par nos confrères de DigiTimes et TechPowerUp, annonce la nouvelle.
À l'heure actuelle, Samsung distribue de la NAND sur 236 couches, soit quatre de plus que l'Américaine Micron (232 couches), mais deux de moins que sa concurrente nationale, SK Hynix (238). Cependant, alors que SK Hynix ne paraît pas encore tout à fait prête à distribuer sa nouvelle NAND sur 321 couches, il se pourrait que Samsung lui grille la politesse.
Selon le Seoul Economic Daily, la V-NAND 300 couches de la marque devrait entrer en production de masse courant 2024. La question qui se pose est de savoir quand exactement cette mise en production interviendra, et si SK Hynix a les moyens de réagir à cette annonce.
Par ailleurs, rappelons que les principaux fabricants de NAND ont des plans très ambitieux à relativement court terme. Sur la feuille de route de Samsung, on peut ainsi noter que de la NAND à 1 000 couches et plus est prévue pour 2030. Bien sûr, il ne s'agit que d'une feuille de route.
Source : TechPowerUp
