Des puces toujours plus denses pour une capacité de stockage flash sans cesse plus importante : ce sont les SSD qui vont être contents !
Nous avions commencé avec de la NAND en 32 couches pour rapidement passer à 64, 96, 112, 176 et même tout récemment 218 ou 232 selon les constructeurs. SK Hynix veut mettre tout le monde d'accord.
Productivité en hausse de 59 %
Après en avoir parlé en mars dernier, la société sud-coréenne vient ainsi de présenter les premiers échantillons de mémoire NAND flash à 321 couches. De la NAND que le fabricant baptise NAND 4D comme il le fait chaque fois pour distinguer son architecture de celle de ses confrères.
La présentation a été réalisée lors du Flash Memory Summit 2023 de Santa Clara en Californie, événement logiquement axé sur la mémoire flash et qui a lieu du 8 au 10 août. Pour l'occasion, SK Hynix a fait la présentation avec de la mémoire 1 Tb (128 Go) en 321 couches que la société a opposée à des puces de génération précédente, de la mémoire 512 Gb (64 Go) en 238 couches.
Dans un cas comme dans l'autre, on parle toujours de mémoire dite TLC pour triple level cell ou cellule triple niveau, mais SK Hynix est évidemment très fier d'annoncer « une amélioration de 59 % de la productivité ».
Réduire les coûts de production
Bien sûr, l'intérêt principal d'augmenter ainsi le nombre de couches pour la mémoire NAND est de faire progresser la capacité que l'on peut produire à partir d'un unique wafer et, de fait, réduire les coûts de production.
Des coûts qui ont une importance alors que l'on envisage une explosion des besoins en matière de stockage flash avec le remplacement progressif de ces bons vieux disques durs à plateau pour nos données, mais aussi et surtout, avec les besoins de l'intelligence artificielle. Des applications comme ChatGPT monopolisent des quantités phénoménales de données. Selon SK Hynix, ce nouveau type de NAND n'est d'ailleurs qu'un maillon de la chaîne avec des SSD adoptant le PCIe Gen 5 et l'UFS 4.0.
Dans le même temps, SK Hynix a d'ailleurs souligné qu'elle travaille dès à présent sur les prochaines générations de PCIe Gen 6 et UFS 5.0. Jungdal Choi, responsable du développement NAND a précisé « avec l'introduction en temps opportun de la NAND haute performance et haute capacité, nous nous efforcerons de répondre aux exigences de l'ère de l'IA et de continuer à mener l'innovation ». Nous, nous rêvons juste de SSD 8 To pas trop chers…
Source : TechPowerUp
