Mémoire DDR2 gravée en 40 nanomètres chez Samsung

Samsung, qui présentait fin janvier ses premiers modules de 4 Gb de DDR3, annonce aujourd'hui être parvenu développer, et valider industriellement, ce qui deviendra selon lui les premières puces de mémoire vive DDR2 gravées en 40 nanomètres. Une avancée majeure, selon le sud-coréen, puisqu'elle lui permettrait d'augmenter de 60% sa productivité par rapport aux actuels procédés de fabrication en 50 nanomètres. A capacité équivalente, ces nouvelles puces consommeraient en outre jusqu'à 30% d'énergie en moins.

Pour l'instant, Samsung a validé le modèle d'une puce de 1 Gb, et placé ce dernier sur une barrette de SO-DIMM (mémoire à destination des ordinateurs portables), d'une capacité totale de 1 Go (soit 8 modules en ligne, sur une seule face). Cette barrette aurait d'ores et déjà été validée par Intel pour une utilisation sur les chipsets de la série GM45. Samsung vise maintenant la transposition de ce nouveau procédé de fabrication vers la DDR3, et affirme être en mesure de lancer la production de modules de 2 Gb avant la fin de l'année 2009.