Samsung Electronics, division semi-conducteur du géant sud coréen, a récemment annoncé qu'il avait démarré la production de puces de mémoire vive DDR3 de 4 Gbits (512 Mo) reposant sur un procédé de fabrication à 40 nm. Ces puces permettent dorénavant de concevoir des modules de 16 et même 32 Go pour ordinateur fixe (serveur ou station de travail), mais aussi et surtout des modules SODIMM de 8 Go pour ordinateur portable, le double de la capacité maximale commercialisée jusqu'à présent.
Ces modules peuvent fonctionner sous une tension de 1,35 ou 1,5 V et à une fréquence allant jusqu'à 1 600 MHz. En augmentant la capacité par module, Samsung revendique par ailleurs une économie d'énergie de 35%.
Le fabricant a enfin annoncé qu'il comptait migrer plus de 90% de sa production de mémoire vive DDR vers la finesse de gravure de 40 nm.
