Samsung vient d'annoncer qu'il se lançait dans la production en masse de chips de mémoire flash OneNAND d'une capacité de 1 Go avec une finesse de gravure de 70 nanomètres. Le numéro un mondial de la mémoire NAND (50 % des parts de marché selon iSuppli) estime ainsi pouvoir améliorer les performances de ses puces de 70 %, avec des débits de l'ordre de 108 Mo/s en lecture, contre 68 Mo/s pour les puces gravées en 90 nanomètres. La vitesse d'écriture reste quant à elle de 9,3 Mo/s.
Sa technologie OneNAND marie selon lui les avantages de la mémoire flash NOR (temps d'accès, vitesse de lecture) à ceux de la mémoire flash NAND (rapidité d'écriture, importantes capacités).
Ces nouvelles puces devraient permettre à Samsung d'élargir le champ de ses clients potentiels, en s'adressant aux industriels de secteurs qui préféraient jusqu'ici recourir à des Disques durs ou des mémoires flash traditionnelles (caméras ou télévisions numériques...). Samsung pourrait également recourir à ces nouvelles puces pour ses disques durs hybrides, combinant la technologie traditionnelle d'un disque dur à de la mémoire flash (voir la brève : Nouveaux détails sur le SSD 32 Go de Samsung).
Chips NAND de 1 Go en 70 nm chez Samsung
Par Alex
Publié le 04 avril 2006 à 11h56
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