Samsung veut graver la DDR2 en 50 nanomètres

Le coréen Samsung vient d'annoncer dans un communiqué de presse être parvenu à mettre au point le premier module de mémoire DDR2 gravé en 50 nanomètres. Ce nouveau procédé de gravure permettrait d'améliorer de 55% le rendement de la production par rapport aux 60 nanomètres.

Cette puce, qui dispose pour l'instant d'une capacité de 256 Mo, bénéfice selon Samsung d'une série de nouvelles techniques permettant de descendre au niveau des 50 nanomètres. La réduction de la finesse de gravure impose par exemple la mise en place de procédés pour lutter contre la fuite des électrons. Samsung indique avoir résolu les problèmes qui se posaient à lui en usant de transistors construits sur un modèle en trois dimensions et de matériaux diélectriques. Les puces DDR 50 nanomètres devraient entrer en production de masse d'ici 2008 et s'imposer rapidement sur le marché, estime Samsung qui vient de déposer 51 brevets relatifs à ses nouvelles méthodes de production.

Concernant le marché de la mémoire vive, Samsung se dit plus que confiant. Le spécialiste des semiconducteurs s'attend en effet à réaliser un chiffre d'affaires de 10 milliards de dollars sur ce secteur en 2006. L'arrivée de Windows Vista devrait en outre contribuer à renforcer la demande des consommateurs. Selon le coréen, le marché de la mémoire vive pourrait progresser de 17% pour atteindre une valeur globale de 35 milliards de dollars en 2007, contre 30 milliards de dollars en 2006. Samsung espère de 36 à 40% de cette manne financière.