Samsung fusionne la SRAM (Static Random Access Memory) et la DRAM (Dynamic Random Access Memory) au sein d'une nouvelle génération de mémoire, baptisée « OneDRAM fusion ». Actuellement à l'état de prototype, cette mémoire OneDRAM remplacerait avantageusement les deux catégories de mémoire citées ci-dessus dans des appareils multimédia compacts, permettant de réduire l'encombrement et la consommation électrique tout en améliorant les performances.
Dans certains appareils comme les Smartphones, les consoles de jeu ou les baladeurs communicants, il serait possible de dédier un processeur aux diverses communications tandis qu'un autre se consacre aux tâches multimédia. La OneDRAM permettrait à ces deux Processeurs distincts d'utiliser les mêmes modules de mémoire. « La nouvelle OneDRAM canalisera les données entre les processeurs au travers d'une simple puce, éliminant ainsi la nécessité de s'équiper de DRAM et de SRAM pour la mémoire cache », explique Samsung dans un communiqué.
Samsung se dit actuellement en mesure de produire des puces de 512 Mbits (64 Mo) cadencées à 133 MHz fonctionnant en mode DDR (Double Data Rate) et compatible avec les spécifications basse consommation du JEDEC, organisme de standardisation des mémoires. Employées dans des appareils équipés de deux processeurs distincts, ces nouveaux modules de mémoire permettraient de réduire de 30% la consommation électrique. De plus, ils n'occuperaient que 50% de l'espace que monopoliseraient les mémoires DRAM et SRAM séparément.
Samsung espère voir cette nouvelle génération de mémoire apparaitre dans des combinés mobiles dès le second semestre 2007.