Le coréen Samsung a annoncé la semaine dernière avoir débuté la production industrielle à des fins commerciales de modules de
mémoire DDR2 gravés en 60 nanomètres. Ces modules de 128 Mo pièce seront utilisés pour mettre au point des barrettes de mémoire de 512 Mo, 1 Go ou 2 Go, pouvant fonctionner à des fréquences de 667 ou 800 MHz. La gravure en 60 nm permettrait d'augmenter le rendement d'environ 40% par rapport au 80 nm, voire de le doubler par rapport à la production en 90 nanomètres. Samsung estime que l'arrivée de
Windows Vista ainsi que de la DDR2 en 60 nm devraient contribuer à démocratiser les modules de 128 Mo en 2007.
Samsung indique que d'après ses prévisions, les modules de mémoire gravés en 60 nm devraient représenter le gros de la production industrielle d'ici 2008. A cette date, il espère que la mémoire 60 nm génèrera 2,3 milliards de dollars et table sur un total de 32 milliards de dollars en 2009.
