Samsung a gagné une étape à la course à densité en matière de mémoire Flash avec l'annonce, en mars dernier, d'un SSD de 16 To au format 2,5 pouces. Cette semaine, il affirme avoir réussi à doubler la mise, et dévoile à l'occasion du Flash Memory Summit (Santa Clara, Californie), un SSD qui monte cette fois à 32 To, toujours dans une enveloppe 2,5 pouces. Il répond dans le même temps à Seagate, qui a présenté sur le même événement un SSD de 60 To, mais au format 3,5 pouces.
Le coréen indique avoir réussi à doubler la densité de son SSD grâce aux progrès réalisés autour de la NAND 3D (appelée V-NAND chez Samsung). Il inaugure ici sa mémoire de quatrième génération, qui passe à 64 couches contre 48 sur la précédente, soit une progression d'environ 30%. Cette nouvelle Flash permet la conception de puces à 64 Go par die, avec des performances unitaires de l'ordres de 800 Mb/s, précise Samsung dans un communiqué.
Samsung a donc empilé 16 de ces dies, de façon à former des puces de 1 To, et réuni 32 de ces puces sur un PCB, pour élaborer son SSD de 32 To. La nature exacte du contrôleur et les performances associées n'ont pas été communiqués. Le SSD adopte une interface SAS 12 Gb/s et présente une enveloppe de 12 mm d'épaisseur.
S'il ne s'agit pour l'instant que d'une démonstration technologique, la marque indique qu'elle commencera à commercialiser des produits basés sur sa V-NAND de quatrième génération sur le dernier trimestre de l'année, ce qui devrait contribuer à l'augmentation des capacités disponibles sur le marché des SSD grand public.
Les densités record comme celles affichées dans cet article resteront quant à elles l'apanage du monde professionnel, du fait de tarifs prohibitifs. Le SSD 2,5 pouces de 16 To présenté en début d'année est par exemple associé à un prix de l'ordre de 10 000 dollars.
