Exemple de puces NAND flash
Le fabricant a donc inauguré mercredi l'usine Line-16, dont il a débuté la construction il n'y a qu'un peu plus d'un an, en mai 2010. Implantée au Nano City Complex de Samsung à Hwaseong, en Corée du Sud, cette usine de 12 étages offrant une superficie utile de 198 000 mètres carrés est présentée à la fois comme la plus vaste et la plus avancée du domaine.
Elle est en outre la première à assurer la production de masse de mémoire NAND flash avec un procédé de fabrication de l'ordre de 20 nm, compris entre 20 et 29 nm. Samsung ambitionne d'en produire 10 000 wafers de 30 cm de diamètre par mois.
Par rapport à celui en trentaine de nanomètre, qui ne s'est concrétisé sous forme de produit fini qu'au début de cet été, le nouveau procédé de fabrication à 2x nm promet d'augmenter la productivité de 50 % tout en réduisant la consommation de 40 %.
Samsung produit pour l'heure des puces de NAND flash de 2 Gb, destinées à l'assemblage de modules de mémoire DDR3 de jusqu'à 16 Go, et prévoit de doubler ces capacités l'année prochaine, date à laquelle il expérimentera en parallèle la fabrication en dizaine de nanomètre (1x nm).
