L'usine STMicroelectronics de Rousset (© Capture d'écran Google Maps)
L'usine STMicroelectronics de Rousset (© Capture d'écran Google Maps)

Le poids lourd franco-italien des semi-conducteurs, STMicroelectronics, va installer une nouvelle usine en Italie, pour soutenir la construction de plaquettes de carbure de silicium. Une première en Europe.

Après l'annonce d'une mégafab française qui entrera en production dès 2023 du côté de Crolles en Isère, STMicroelectronics a annoncé, mercredi, la construction d'une usine à Catane, en Sicile, qui permettra au Vieux Continent de renforcer (un peu) sa souveraineté technologique sur le terrain des semi-conducteurs. L'entreprise, qui pèse 13 milliards d'euros de chiffre d'affaires annuel, a reçu le soutien financier de la Commission européenne, pour fabriquer des plaquettes de carbure de silicium (SiC).

Un renforcement de la chaîne d'approvisionnement des semi-conducteurs en Europe

Ce 5 octobre, la Commission européenne a annoncé avoir accepté la demande de subvention de l'État italien pour la construction d'une usine de plaquettes de carbure de silicium. Cette aide, d'un montant de 292,5 millions d'euros, vient boucler le financement qui était nécessaire à la naissance et à la viabilité du projet. STMicroelectronics, de son côté, va investir 730 millions d'euros.

Cette usine devra répondre à la demande croissante des clients de l'entreprise en dispositifs SiC dans les domaines de l'automobile et de l'industrie, qui passent de plus en plus par l'électrification, et qui sont en recherche constante d'une plus grande efficacité et de puces plus économes en énergie.

Le démarrage de la production est prévu pour 2023, de façon à équilibrer l'approvisionnement en substrats SiC entre la fabrication interne et l'achat à des fournisseurs. Le projet, qui aboutira à la création de 700 emplois, devrait atteindre son plein potentiel en 2026, pour ériger « la première ligne de production de plaquettes de SiC par épitaxie intégrée à l'échelle industrielle en Europe », précise la Commission européenne.

STMicroelectronics veut 40 % d'approvisionnement interne en substrats d'ici 2024

L'unité de fabrication de plaquettes de SiC sera construite à Catane, juste à côté de l'usine de fabrication de dispositifs existante. Elle produira des substrats épitaxiés en 150 mm en carbure de silicium, en intégrant chacune des étapes du flux de production. Des plaquettes en 200 mm pourraient également être fabriquées « dans un futur proche », indique STMicroelectronics.

Précision utile, le procédé de croissance par épitaxie constitue la première étape du processus qui a lieu sur le substrat qui sert à fabriquer des dispositifs de puissance, et qui ensuite détermine les caractéristiques finales du dispositif à fabriquer.

Aujourd'hui, les produits SiC de pointe et à grand volume du groupe franco-italien sont fabriqués dans ses usines de Catane, en Italie, et d'Ang Mo Kio, à Singapour. L'assemblage et les tests sont effectués sur les sites de Shenzhen en Chine, sur les terres de Huawei, et de Bouskoura, au Maroc. Demain, avec sa nouvelle usine de fabrication de plaquettes de SiC, STMicroelectronics pourra atteindre les 40 % d'approvisionnement interne en substrats, dès 2024. Un premier pas…