Le Galaxy Note 10 n'est pas encore sorti que les rumeurs commencent à fleurir concernant les Galaxy S11. Et d'après une information révélée par Samsung elle-même, celui-ci pourrait bien se doter de mémoire vive nouvelle génération, promettant des performances explosives.
Dans un communiqué, la firme sud-coréenne a annoncé avoir entamé la production de masse de mémoire vive mobile de type LPDDR5. Une innovation que l'on s'attend bien entendu à retrouver dans les prochains smartphones du groupe.
Une mémoire 30% plus rapide
Dans son communiqué, Samsung affirme que sa nouvelle RAM est « 1,3 fois plus rapide que la mémoire mobile (LPDDR4X) que l'on trouve actuellement dans les smartphones haut de gamme ». Selon le constructeur, un smartphone équipé de 12 Go de LPDDR5 sera capable de transférer des fichiers de 44 Go en une seconde.Couplé à une puce de stockage en UFS 3.0 (laquelle a fait des débuts incroyables sur le OnePlus 7 Pro) et à un SoC de dernière génération, le bond en termes de performances pourrait être tout simplement énorme entre le Galaxy S10 et le futur flagship de Samsung.
Une mémoire au service de la 5G et de l'intelligence artificielle
Le communiqué du constructeur nous apprend aussi deux choses. D'une part, Samsung semble déterminé à continuer de proposer des smartphones équipés de 12 Go de RAM. D'autre part, l'entreprise dit avoir spécifiquement optimisé sa LPDDR5 pour les besoins de la 5G et de l'intelligence artificielle. Les deux mots-clés du moment, nous en conviendrons.Quant à savoir si cette nouvelle mémoire vive sera réservée aux déclinaisons « 5G-ready » des futurs smartphones de la marque, il faudra attendre les annonces officielles pour être fixé. Des annonces qui ne devraient pas intervenir avant le mois de février prochain - pendant lequel Samsung annonce habituellement ses nouveaux Galaxy S.
Source : Tech Radar