D'après les premières informations, Intel devrait utiliser pour la gravure de ces puces une seconde génération de la technologie High-K/Metal Gate, la première génération étant employée pour les actuels Penryn. Il présentera au cours du salon des puces de mémoire SRAM de 291 Mbits qui abritent plus d'1,9 milliard de transistors. Ces puces seraient capable de fonctionner à 3,80 GHz sous une tension de 1,1 volt.
Une telle finesse de gravure devrait permettre à terme de produire des processeurs x86 très économes en énergie pour des dispositifs mobiles, des puces combinant processeur et puce graphique mais aussi de continuer à proposer des processeurs classiques plus performants. Les premières puces gravées en 32 nm devraient être commercialisées au cours de l'année 2009. Aucune date n'a en revanche été avancée quant à un processeur utilisant ce procédé.