Les deux rivaux clament effectivement la primeur sur le même type de procédé de fabrication, à un détail près.
Elpida revendique ainsi le titre de premier fabricant de puces de 4 Gb de mémoire vive DDR3 en 25 nm, alors que Samsung n'a annoncé le lancement de la production que de puces de 2 Gb (en vingtaine de nanomètre, sans plus de précision), que le fabricant nippon produirait déjà depuis juillet.
En pratique, la filiale taiwanaise fabricant la mémoire pour Elpida n'a que récemment entamé la migration vers le 3x nm, et selon des sources du quotidien Digitimes, la production de masse ne débuterait en fait chez Samsung qu'en début d'année prochaine. Les puces en 2x nm risquent donc d'être livrées au compte-goutte d'ici là.
Le nouveau procédé d'Elpida entrainerait quoi qu'il en soit une réduction de la consommation de 25 à 30 % en activité et même de 30 à 50 % au repos. La productivité aurait quant à elle augmenté de 45 %, ce qui devrait entrainer une baisse du prix de vente. Les puces peuvent fonctionner à 1866 MHz avec une tension de 1,35 ou 1,5 V.
