La division semi-conducteurs de Samsung a annoncé aujourd'hui avoir achevé le développement de la première puce de mémoire vive pour terminal mobile de 4 Go. Jusqu'à présent les terminaux les plus avancés dans le domaine, tels que le Galaxy Note 3, disposaient au mieux de 3 Go.
Samsung a profité de l'occasion pour passer à la LPDDR4, la variante basse consommation (low power) de la DDR4. Cette nouvelle interface délivre des performances supérieures de 50% tout en consommant 40% de moins à tension constante (1,1 V) que la meilleure LPDDR3 ou DDR3.
Le fondeur fabrique des circuits intégrés (die) de 8 Gb (soit 1 Go) avec un procédé de fabrication de l'ordre de 20 nm (entre 20 et 30 nm), puis empile quatre de ces dies dans une seule enveloppe, ce qui donne une seule puce de 4 Go. Produites dès le début de l'année 2014, ces puces donneront lieu à des smartphones, des tablettes ou des ordinateurs portables dotés de 4 Go de mémoire vive, une quantité bienvenue compte-tenu de la hausse des définitions d'écrans.
