Samsung a annoncé il y a quelques jours le lancement prochain d'un chip mémoire DDR de 32 Mo à destination des téléphones portables qui devrait offrir une bande passante maximale de 1.06 Go/sec et qui sera gravé en 0.10 micron. Grâce à cette finesse de gravure, la consommation électrique du chip devrait rester minime.
Cette mémoire dont la production de masse est prévue pour le second semestre 2004 pourrait notamment être associée aux prochains chips 3D pour téléphone mobile d'ATI et de NVIDIA afin de proposer des téléphones aux capacités impressionnantes.
Samsung précise que cette mémoire pourra également être utilisée sur les PDA et des baladeurs numériques.