Des transistors plus rapides chez Intel

Intel devrait dévoiler cette semaine un prototype de transistor censé aller dans la direction de la loi de Moore en la prolongeant pour les dix prochaines années. Le transistor en question a été conçu par Intel et la firme anglaise Qinetiq. S'il reprend la même structure que les transistors actuels, le matériau employé est différent. A la place du silicium, Intel utilise à un nouveau composé l'InSb. Il s'agit d'un mélange des éléments Indium, découvert en allemagne en 1863 et de l'Antimoine, un métalloïde argenté connu depuis l'antiquité (NDLR : oui c'est sérieux). Ces deux éléments partagent des caractéristiques communes avec le silicium mais se comportent différement. D'après Intel le fait de remplacer le silicium par l'InSb diminue la consommation près de 10 fois tout en augmentant les performances de 50%. Plus intéressant, ces matériaux peuvent être greffés sur les lignes de production actuelles rendant la fabrication de ce nouveau type de transistors plus économique et mieux adaptée que les transistors utilisant des nanotubes de carbone ou des nanocircuits de silicium. Les premières puces dotées de ce type de transistors pourraient apparaître en 2015.

Pour l'instant ces transistors expérimentaux reposent sur un substrat plutôt onéreux et la prochaine étape est de les implanter sur un substrat de silicium. Ce n'est pas la première fois qu'Intel fait une telle démonstration mais la dernière en date avait été faite sur des transistors de 200nm contre 85nm pour cette nouvelle expérimentation.