La PRAM (pour Phase change Random Access Memory) revendique pour rappel de nombreux avantages sur la mémoire flash NOR, qu'elle est amenée à supplanter. Samsung indique ainsi qu'une puce de 512 Megabits de PRAM peut effacer 64 000 entrées en 80 millisecondes, 10 fois plus vite que la mémoire NOR. En pratique, cette première puce de PRAM serait 7 fois plus rapide qu'une puce de NOR.
Sans oublier qu'elle est en outre non volatile (bien qu'elle soit employée comme mémoire vive), moins encombrante et plus économe en énergie, ce qui en fait dans un premier temps une alliée de choix dans le domaine de la mobilité. Samsung promet d'ailleurs que la simple adoption de la mémoire à changement de phase permet d'étendre l'autonomie d'un téléphone portable de plus de 20%.
Les premières puces ont recours à une finesse de gravure de 60 nm, identique à celle des mémoires NOR, ce qui laisse une confortable marge de manœuvre à l'heure où les grands acteurs du semi-conducteur sont déjà prêts pour le 22 nm. Samsung n'a en revanche pas indiqué quand les premiers dispositifs équipés seraient commercialisés, ni à quel prix.
