Comme prévu les processeurs issus de la famille Penryn seront gravés en 45nm, contre 65nm pour les actuels processeurs Core 2 Duo. La nouveauté, au-delà de la finesse de gravure, vient du type même de transistor employé dans la conception de la puce : une véritable première technologique. Intel sera en effet le premier fondeur à implémenter un nouveau matériau high-k pour la couche diélectrique du transistor, tandis qu'un nouveau mélange de matériaux (métal et hafnium) sera utilisé pour l'électrode du transistor en lieu et place de matériaux comme le polysilicium. L'intérêt de ce nouveau procédé est de réduire la fuite des électrons, un problème de plus en plus crucial pour des puces qui intègrent toujours plus de transistors. Ce n'est pas le seul avantage puisque Intel évoque dans ses documentations des gains de performance pouvant atteindre 20%.
Schéma des nouveaux transistors
Techniquement, le Penryn devrait intégrer les instructions SSE4. Intel évoque à ce sujet des gains de performance à deux chiffres grâce au SSE4 sur certaines applications multimédia. Sur le plan des transistors, le Penryn devrait compter quelques 410 millions de transistors pour la version double-coeur. Une variant quadri-coeur est au programme, et celle-ci devrait totaliser 820 millions de transistors ! Lors du briefing avec la presse, Intel a précisé que les premiers Penryn quadri-coeur utiliseraient le même schéma que les Core 2 Quad actuels avec deux dies double-coeur réunis sur une seule et même puce physique. Bien que les processeurs Penryn devraient toujours utiliser le Socket 775, leur compatibilité avec les Cartes mères existantes n'est pas clair : il faudra peut être une modification du circuit électrique.
Le die du Penryn
Pour refermer cette brève présentation du Penryn, Intel se fendait d'une citation de Gordon Moore, son co-fondateur et célèbre auteur de la loi de Moore : « L'implémentation du high-k et des matériaux métaux marque le plus grand changement dans la technologie des transistors depuis l'introduction des transistors MOS en polysilicium à la fin des années 1960. ».