Les deux premières fabs d'Intel qui passeront en 65 nanos (ou 0,065µ) sont celles de Scottsdale (Arizona - US) et d'Irlande. Intel déclare avoir amélioré encore sa technologie strained silicon qui consiste à éviter les fuites d'énergie entre les électrons. Les premiers Processeurs 0,065µ disposeront donc d'une technologie Strained Silicon de seconde génération ce qui devrait permettre d'améliorer la performance des transistors de 10 à 15% sans pour autant augmenter les fuites. En parallèle Intel a concocté une nouvelle fonction, hérité du Centrino, visant à économiser l'énergie qui permettra d'endormir les transistors. Ainsi quand de larges blocs de SRAM ne sont pas utilisés, la zone concernée du processeur sera désactivée. Après le passage en 0,065µ, la prochaine étape pour Intel est le 0,045µ...
Intel premier sur le 0,065µ
Par Julien.
Publié le 30 août 2004 à 09h41
Les deux premières fabs d'Intel qui passeront en 65 nanos (ou 0,065µ) sont celles de Scottsdale (Arizona - US) et d'Irlande. Intel déclare avoir amélioré encore sa technologie strained silicon qui consiste à éviter les fuites d'énergie entre les électrons. Les premiers Processeurs 0,065µ disposeront donc d'une technologie Strained Silicon de seconde génération ce qui devrait permettre d'améliorer la performance des transistors de 10 à 15% sans pour autant augmenter les fuites. En parallèle Intel a concocté une nouvelle fonction, hérité du Centrino, visant à économiser l'énergie qui permettra d'endormir les transistors. Ainsi quand de larges blocs de SRAM ne sont pas utilisés, la zone concernée du processeur sera désactivée. Après le passage en 0,065µ, la prochaine étape pour Intel est le 0,045µ...
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