Intel est fier de dévoiler aujourd'hui son premier chip de mémoire SRAM (Static Random Access Memory) entièrement gravé en 45 nanomètres et composé de plus d'un milliard de transistors. Selon Intel cette nouvelle finesse de gravure devrait permettre de produire des semiconducteurs associés à des « pertes / fuites d'énergie » 5 fois moins élevées que celles des semiconducteurs actuels.
Intel qui a commencé à livrer ses premiers processeurs 65 nanomètres (Pentium D série 9xx, Pentium Extreme Edition 955, et processeurs Core Duo / Core Solo Yonah) estime par la même occasion qu'il dispose d'une avance technologique d'un an sur son concurrent AMD qui produit toujours ses processeurs en 90 nanomètres.
Pour rappel, l'utilisation d'une finesse de gravure plus avancée permet de produire des semiconducteurs plus complexes et réduit les coûts de production. Intel pense pouvoir lancer la production de masse des semiconducteurs gravés en 45 nanomètres à la mi-2007. En attendant, la firme travaille déjà sur la procédé de gravure en 32 nanomètres dans ses laboratoires. Pour en savoir plus sur la production des processeurs, vous pouvez toujours (re)consulter notre reportage effectué dans une usine Intel en Irlande.
Un Wafer gravé en 45 nanomètres