IDF: Samsung peaufine sa DDR3

Le groupe Samsung profite de l'IDF pour annoncer la poursuite de ses efforts dans le développement des puces mémoires DDR3 à destination des PC. Destinée à succéder à l'actuelle DDR2, la mémoire DDR3 offrira, selon le spécialiste des semiconducteurs, de meilleurs débits, une consommation électrique inférieure ainsi qu'un système embarqué de gestion de la température. Samsung annonce ainsi une tension d'alimentation de 1,5 volts, contre 1,8 volts pour l'actuelle DDR2, et le Coréen évoque des débits atteignant les 1,6 gigabit par seconde par puce mémoire.

D'après la feuille de route communiquée par Samsung on devrait voir apparaître dès la fin de l'année des barrettes en DDR3-1066 offrant un débit de 17 Go/s. Il faudra attendre début 2007 pour voir arriver la DDR3-1333 et sa bande passante de 21,3 Go/s. Fin 2007, Samsung table sur de la DDR3-1600 qui offrira une bande passante de 25,6 Go/s, soit le double de ce que propose aujourd'hui la DDR2-800. Reste bien sûr à voir l'évolution des chipsets pour réellement tirer parti des puces que nous concocte Samsung. Et sur ce plan précis, Intel ne compte pas adopter la DDR3 avant l'an prochain, date à laquelle la firme renouvellera ses chipsets.